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MOS 集成电路 的关系图
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演化自
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替代
特化
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实现
组成部分
选择图中技术
CMOS
集成电路
MOS 集成电路
平面工艺
半导体存储器
硅栅工艺
可见关系
当前已加载 · 5 条
CMOS
→
MOS 集成电路
特化
CMOS 以互补的 p 沟道和 n 沟道 MOS 晶体管构成低静态功耗逻辑，是 MOS 集成电路的一种电路配置。
MOS 集成电路
→
平面工艺
演化自
MOS 集成电路沿用平面工艺的表面氧化、掩膜和互连思路，并进一步提高器件密度。
MOS 集成电路
→
集成电路
特化
MOS 集成电路是以 MOS 器件和工艺实现的集成电路类别。
硅栅工艺
→
MOS 集成电路
应用于
硅栅 MOS 工艺支持在单片上批量制造高密度逻辑和存储电路。
半导体存储器
→
MOS 集成电路
依赖
MOS 集成工艺允许把大量存储单元、译码和读写电路做在同一芯片上。