技术定义
把存储单元、译码和读写电路集成在半导体芯片上的存储器总称，包括 RAM、ROM 等路线。
它是什么
半导体存储器把存储单元和外围读写电路做在芯片上。RAM 保存运行中的数据，ROM 保存固定程序或查表内容；两者都依赖晶体管和工艺把位组织成行列阵列。
为什么出现、解决了什么问题
磁芯存储器容量增加需要大量手工穿线，体积和成本限制了系统。MOS 工艺可以在晶圆上重复形成成千上万的存储单元，缩短访问路径并降低每位成本。
为什么重要、推动了什么
半导体存储器把“处理器能做什么”与“芯片能保存多少指令和数据”连接起来。DRAM 替代磁芯、ROM 保存程序，二者共同让微处理器从一个 CPU 芯片变成可工作的计算系统。
原理与影响
解决的问题
- 在更小体积和更短访问时间内提供计算机主存和程序存储。
- 减少磁芯阵列的手工装配、体积和单位容量成本。
核心原理
- 晶体管、电容或浮栅等结构保存位状态，行列译码选择单元。
- RAM 允许运行时读写，ROM 或其他非易失存储器保留固定内容。
相对前代的改进
- 单位面积容量随 MOS 工艺缩小快速提升。
- 可把存储阵列与外围逻辑共同制造，减少系统级互连。
技术意义
- 把存储器从独立机电阵列变成可规模化复制的芯片产品。
- 为微处理器系统提供程序、数据和启动内容。
历史与应用
人物
Robert H. Dennard、Jay Forrester
组织
IBM、Intel、Fairchild Semiconductor
事件
1960 年代 MOS 存储器原型、1970 年 Intel 1103 DRAM
典型应用
计算机主存、微处理器程序和数据存储、嵌入式控制器
留下的局限
- RAM 需要供电和刷新，ROM 的写入能力受结构限制。
- 容量提升带来漏电、刷新、错误率和散热问题。
上下游关系
上游
证据：Semiconductor Memory: Fast, Cheap, or Dense?1964: First Commercial MOS IC Introduced
证据：1970: MOS Dynamic RAM Competes with Magnetic Core Memory on Price
下游
证据：1953: Transistors Make Fast MemoriesSemiconductor Memory: Fast, Cheap, or Dense?